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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Puntuación global
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
60
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
28
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
3085
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
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