RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Porównaj
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
5.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
28
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1411
3085
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link