RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
92
94
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
94
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1506
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link