RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

総合得点
star star star star star
V-GEN D4H4GS24A8 4GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    92 left arrow 94
    周辺 2% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 14.7
    テスト平均値
V-GEN D4H4GS24A8 4GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 1,266.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    92 left arrow 94
  • 読み出し速度、GB/s
    2,105.4 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,266.1 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    339 left arrow 1506

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
メモリRAM