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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
92
94
Por volta de 2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
94
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
7.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
1506
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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