RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3531
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link