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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB

总分
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

总分
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 28
    左右 -4% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18 left arrow 12.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.5 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 8500
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    12.7 left arrow 18.0
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 14.5
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1988 left arrow 3531

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
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内存RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
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内存RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Kingston 9905701-132.A00G 16GB
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内存RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
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内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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