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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Compara
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Puntuación global
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.4
5.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
60
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
37
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
8.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
5.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
1967
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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