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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
5.4
5.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
60
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.8
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
37
读取速度,GB/s
6.8
8.8
写入速度,GB/s
5.4
5.0
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
1967
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Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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