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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
60
左右 57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
5.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
14900
12800
左右 1.16 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
26
60
读取速度,GB/s
13.9
6.8
写入速度,GB/s
9.5
5.4
内存带宽,mbps
12800
14900
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
1411
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM的比较
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
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