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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Puntuación global
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Diferencias
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
60
En -131% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
26
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
2594
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
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