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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Compara
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
75
En -92% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
39
Velocidad de lectura, GB/s
2,730.3
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2264
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
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