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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
比较
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
总分
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,072.7
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
75
左右 -92% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
39
读取速度,GB/s
2,730.3
15.5
写入速度,GB/s
2,072.7
11.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
2264
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB RAM的比较
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C16/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
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