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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
比较
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
总分
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,072.7
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
75
左右 -92% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
39
读取速度,GB/s
2,730.3
15.5
写入速度,GB/s
2,072.7
11.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
2264
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
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