RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Compara
Kingston KN2M64-ETB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Puntuación global
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
47
En -74% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2037
3061
Kingston KN2M64-ETB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link