Comparación de la memoria RAM Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Puntuación global

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

41 43

En 5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

13.3 10.5

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.0 6.8

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

12800 10600

En 1.21% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2016 1682

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns