RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
43
En 5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
41
43
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
1682
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link