Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Puntuación global
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Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    41 left arrow 43
    En 5% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.3 left arrow 10.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 6.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
    En 1.21% mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    41 left arrow 43
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.3 left arrow 10.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 6.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2016 left arrow 1682
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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