Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    41 left arrow 43
    Около 5% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.3 left arrow 10.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.0 left arrow 6.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21% выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    41 left arrow 43
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.3 left arrow 10.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 6.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2016 left arrow 1682
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения