Confronto tra le RAM Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

41 43

Intorno 5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

13.3 10.5

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.0 6.8

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

12800 10600

Intorno 1.21% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2016 1682

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns