Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    41 left arrow 43
    Intorno 5% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.3 left arrow 10.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.0 left arrow 6.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 10600
    Intorno 1.21% larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    41 left arrow 43
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.3 left arrow 10.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.0 left arrow 6.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2016 left arrow 1682
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti