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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Compara
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,410.6
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
61
En -135% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,230.0
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,410.6
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
754
2880
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
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