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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Compara
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2432
2763
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
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SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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