RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Compara
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
66
En 61% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
66
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2432
1877
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link