RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сравнить
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
66
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
66
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2432
1877
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link