RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
14.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2173
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link