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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Compara
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2432
2713
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
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