RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
75
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
4200
En 4.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
37
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
19200
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
3448
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link