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Kingston KVR533D2N4 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Motivi da considerare
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
75
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.4
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
4200
Intorno 4.57 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
37
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
21.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
19200
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
3448
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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