RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
46
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
2,061.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
35
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2237
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link