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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
75
En -159% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
29
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
3559
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
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