RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
75
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
4200
En 6.1 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
45
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
25600
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
3027
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link