RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
75
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
4200
Около 6.1 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
45
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
25600
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
3027
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link