RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
37
Около 5% меньшая задержка
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2808
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link