RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
37
Около 5% меньшая задержка
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2808
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link