Confronto tra le RAM Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Punteggio complessivo

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

35 37

Intorno 5% latenza inferiore

Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

16 13.7

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.6 9.6

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 12800

Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2312 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns