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Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
75
En -188% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
4200
En 4.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
26
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
19200
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
2728
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
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