RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
75
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
26
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2728
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link