RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
75
En -200% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
4200
En 4.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
25
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
19200
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
2427
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link