Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Puntuación global
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 75
    En -178% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.4 left arrow 1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.8 left arrow 1,672.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 4200
    En 4.57 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    75 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    1,943.5 left arrow 11.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,672.1 left arrow 11.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    301 left arrow 2062
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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