RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
75
Wokół strony -178% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
27
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2062
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link