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Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
75
En -134% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
32
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
2641
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
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