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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Compara
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Puntuación global
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
50
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.3
5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
1,905.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
36
Velocidad de lectura, GB/s
5,143.3
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,905.1
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
855
1891
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
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