RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Comparez
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Note globale
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
50
Autour de -39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.3
5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
1,905.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
36
Vitesse de lecture, GB/s
5,143.3
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,905.1
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
1891
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link