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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Compara
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
59
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
1,905.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
50
59
Velocidad de lectura, GB/s
5,143.3
4,833.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,905.1
2,123.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
855
731
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
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