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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
59
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
1,905.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
50
59
读取速度,GB/s
5,143.3
4,833.8
写入速度,GB/s
1,905.1
2,123.3
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
731
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
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