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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Compara
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Puntuación global
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Puntuación global
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
50
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
1,905.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
23
Velocidad de lectura, GB/s
5,143.3
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,905.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
855
2712
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
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