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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Compara
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Puntuación global
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Puntuación global
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
35
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
5.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
35
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.1
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1432
2580
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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