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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Compara
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
5.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
33
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.1
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1432
2774
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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