RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Compara
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Puntuación global
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
53
En 45% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.4
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
5.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
53
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.1
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1432
2333
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KB5 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link