RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Compara
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
40
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
35
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2455
2672
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link