RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Compara
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Puntuación global
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
59
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
1,855.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,168.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,855.7
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
680
3291
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link