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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,168.0
16.0
写入速度,GB/s
1,855.7
12.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
3291
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
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G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
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