RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Compara
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Puntuación global
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
59
En -136% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
1,855.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,168.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,855.7
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
680
2704
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link