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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Puntuación global
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Puntuación global
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Razones a tener en cuenta
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 20.6
    Valor medio en las pruebas
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    32 left arrow 59
    En -84% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.7 left arrow 1,855.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 5300
    En 4.83 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    59 left arrow 32
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,168.0 left arrow 20.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,855.7 left arrow 14.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    680 left arrow 3393

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
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Memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Memoria RAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Memoria RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
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Memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
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Memoria RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Memoria RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
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Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
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Memoria RAM
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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Memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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